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扬杰科技获得实用新型专利授权：“提高沟道区面积的SiCVDMOSFET”

2025-06-20 【字体：大中小】

本站消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“提高沟道区面积的SiCVDMOSFET”，专利申请号为CN202421517836.4，授权日为2025年5月6日。

专利摘要：提高沟道区面积的SiC VDMOSFET，涉及半导体技术领域。本实用新型在SiC VDMOSFET器件中通过将常规条形状的沟道区设计布局成连续的凸台状，从而使器件内部的沟道区面积增加60%?70%，使SiC VDMOSFET器件的通流能力相较于常规条形沟道区提高1.6倍?1.7倍，这不仅提高了器件的功率密度，同时也降低了器件成本。

今年以来扬杰科技新获得专利授权38个，较去年同期增加了22.58%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了4.23亿元，同比增19%。

数据来源：天眼查APP

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